Neurólogos estadounidenses demostraron que es posible aumentar la memoria mediante la estimulación eléctrica de una determinada zona del cerebro, según un estudio publicado hoy en la revista científica New England Journal of Medicine (NEJM).
Los investigadores de la Universidad de California en Los Ángeles se concentraron en la corteza entorrinal, una región cerebral clave para la memoria y principal pasaje antes del hipocampo), el área responsable del procesamiento de las señales y el desarrollo de la memoria.
«Esta zona (corteza entorrinal) es la puerta de acceso a la unidad central de la memoria. Nuestras neuronas deben enviar mensajes a través de este pasaje para que la memoria se forme y el recuerdo pueda recuperarse conscientemente», dijo Itzhak Fried, profesor de neurocirugía de la Escuela de Medicina David Geffen y autor principal de la investigación.
Para este estudio, los neurólogos siguieron a siete pacientes con epilepsia, a quienes se les estimuló la mencionada región cerebral mientras participaban en un videojuego que simulaba un taxi en una ciudad virtual. Gracias al experimento, los sujetos reconocían más lugares y circulaban por las calles con mayor rapidez.
